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2. 電容電壓性測(cè)試儀原理CV法利用PN結(jié)或肖基勢(shì)壘在反向偏壓時(shí)的電容性,可以獲得材料中雜質(zhì)濃度及其分布的信息,這類測(cè)量成為C-V測(cè)量。這種測(cè)量可以提供材料橫截面均勻性及縱向雜質(zhì)濃度的分布信息。組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)(勢(shì)壘電容),加正向偏壓時(shí),
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電容電壓性測(cè)試儀 型號(hào):HAD-CV300
1.HAD-CV300引言
HAD-CV300型電容電壓(C-V)性測(cè)試儀是測(cè)試頻率為1MHz的數(shù)字式電容測(cè)試儀器。用于測(cè)量半導(dǎo)體器件PN結(jié)勢(shì)壘在不同偏壓下的電容量,也可測(cè)試其它電容。
儀器有較的分辨率,電容量是四位讀數(shù),可分辨到0.001pF,偏置電壓分辨率為0.01V,漏電小分辨率為0.01μA或0.1μA(可選)。
該測(cè)試儀器性能穩(wěn)定可靠,能齊,度,操作簡(jiǎn)單,適用于元件廠家,科研,等院校等單位。
2. 電容電壓性測(cè)試儀原理
CV法利用PN結(jié)或肖基勢(shì)壘在反向偏壓時(shí)的電容性,可以獲得材料中雜質(zhì)濃度及其分布的信息,這類測(cè)量成為C-V測(cè)量。這種測(cè)量可以提供材料橫截面均勻性及縱向雜質(zhì)濃度的分布信息。
組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)(勢(shì)壘電容),加正向偏壓時(shí),PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變窄,勢(shì)壘電容變大;加反向偏壓時(shí),PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變寬,勢(shì)壘電容變小。
該儀器采用電電壓測(cè)量方法,它用微處理器通過8 次電壓測(cè)量來計(jì)算每次測(cè)量后要求的參數(shù)值。用個(gè)相敏檢波器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器順序快速成電壓測(cè)量。正交測(cè)量通過交換測(cè)量信號(hào)的相位來行,而不是參考相位檢測(cè)。因而不需要的模擬相位轉(zhuǎn)換成電壓矩形波電路。通過從同個(gè)頻信號(hào)源形成測(cè)試信號(hào)和參考信號(hào),來保證正確的相位關(guān)系。由微處理器根據(jù)已知的頻率和測(cè)試信號(hào)相位,用ROM 存儲(chǔ)器內(nèi)的程序和所存儲(chǔ)的按鍵選擇來控制測(cè)量順序,以及存儲(chǔ)在RAM 中的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)來計(jì)算被測(cè)元件數(shù)值。
3. HAD-CV300參數(shù)
3.1. 測(cè)試信號(hào)頻率:1.000MHz±0.01%
3.2. 測(cè)試信號(hào)電壓:≤100mVrms
3.3. 測(cè)量速率:慢3次/秒,快5次/秒
3.4. 測(cè)量范圍:
電容C:0.001-10000 pF
漏電:0.01-19.99μA
3.5. 直偏壓:儀器自帶偏壓0.01-35V,分辨率:0.01V;(可外接偏壓源拓展,大偏壓輸入為100V)
3.6. 作誤差:±5.0%±2字
3.7. 預(yù)熱時(shí)間:30min
3.8. 供電電源:
交電壓:220V±10%,頻率:50Hz±5%,消耗率:≤40W
3.9. 作環(huán)境
溫度:0-40℃, 濕度:≤65%
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